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SMMBT3906LT1G	文件：128.61 Kbytes Page：7 Pages	General Purpose Transistor GeneralPurposeTransistor PNPSilicon Features •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUniqueSiteandControl ChangeRequirements •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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SMMBT3906LT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 40V 0.2A SOT23-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
LMBT3906LT1	文件：142.91 Kbytes Page：5 Pages	GeneralPurposeTransistors	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
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MMBT3906LT1	文件：664.69 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistorsPNPSilicon GeneralPurposeTransistors PNPSilicon ●RoHSproductforpackingcodesuffixG, HalogenfreeproductforpackingcodesuffixH ●Weight:0.008g	WILLASWILLAS electronics corp 威倫威倫电子股份有限公司	WILLAS
MMBT3906LT1	文件：155.6 Kbytes Page：2 Pages	SOT-23TRANSISTOR GENERALPURPOSETRANSISTOR •CollectorDissipation:Pc=225mW •ComplementaryPairwithMMBT3904LT1. •Collector-EmitterVoltage:VCEO=-40V •PNPEpitaxialSiliconTransistor	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
MMBT3906LT1	文件：221.88 Kbytes Page：8 Pages	GeneralPurposeTransistor GeneralPurposeTransistor PNPSilicon	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MMBT3906LT1	文件：97.26 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistor(PNPSilicon) GeneralPurposeTransistor PNPSilicon Features •Pb-FreePackagesareAvailable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT3906LT1	文件：43.65 Kbytes Page：3 Pages	PNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description TheMMBT3906LT1isdesignedforgeneralpurposeswitchingandamplifierapplications. AbsoluteMaximumRatings •MaximumTemperatures StorageTemperature...............................................................................................-55~+150°C JunctionTemper	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd	TGS
MMBT3906LT1	文件：226.55 Kbytes Page：5 Pages	GeneralPurposeTransistor(PNPSilicon) GeneralPurposeTransistors PNPSilicon	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
MMBT3906LT1	文件：96.92 Kbytes Page：7 Pages	GeneralPurposeTransistorPNPSilicon GeneralPurposeTransistor PNPSilicon Features •Pb-FreePackagesareAvailable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT3906LT1G	文件：140.01 Kbytes Page：7 Pages	GeneralPurposeTransistor GeneralPurposeTransistor PNPSilicon Features •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUniqueSiteandControl ChangeRequirements •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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MMBT3906LT1G	文件：97.26 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistor(PNPSilicon) GeneralPurposeTransistor PNPSilicon Features •Pb-FreePackagesareAvailable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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MMBT3906LT1G	文件：126.5 Kbytes Page：7 Pages	GeneralPurposeTransistor GeneralPurposeTransistor PNPSilicon Features •Pb-FreePackagesareAvailable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NSCT3906LT1G	文件：83.8 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistorsPNPSilicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

产品属性

产品编号：
SMMBT3906LT1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
400mV @ 5mA，50mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 10mA，1V
频率 - 跃迁：
250MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
描述：
TRANS PNP 40V 0.2A SOT23-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	SMMBT3906LT1G	onsemi(安森美)	23+	SOT-23(TO-236)	3022	原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	SMMBT3906LT1G	onsemi	24+	TO-236-3,SC-59,SOT-23-3	30000	晶体管-分立半导体产品-原装正品	询价
深圳市龙瀚电子有限公司	SMMBT3906LT1G	ON	16+/17+	SOT-23	78000	渠道现货库存-原装正品	询价
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