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SMMBT6427LT1G

Darlington Transistor

Darlington Transistor NPN Silicon Features • S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant

文件:192.08 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

SMMBT6427LT1G

Darlington Transistor

ONSEMI

安森美半导体

SMMBT6427LT1G

Package:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN DARL 40V 0.5A SOT23-3

ONSEMI

安森美半导体

LMBT6427LT1G

Darlington Transistors

文件:228.47 Kbytes 页数:6 Pages

LRC

乐山无线电

LMBT6427LT1G

Darlington Transistors NPN Silicon RoHS requirements.

文件:231.51 Kbytes 页数:6 Pages

LRC

乐山无线电

MMBT6427LT1

Darlington Transistor NPN Silicon

文件:71.88 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

产品属性

  • 产品编号:

    SMMBT6427LT1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1.5V @ 500µA,500mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    1µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    20000 @ 100mA,5V

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 40V 0.5A SOT23-3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
onsemi(安森美)
24+
SOT-23-3
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ON
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SOT-23-3
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SOT-23-3
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ON(安森美)
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ON
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SOT23
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更多SMMBT6427LT1G供应商 更新时间2025-10-4 23:00:00