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SMMBT2369LT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 15V 0.2A SOT23-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
LMBT2369LT1	文件：243.37 Kbytes Page：6 Pages	SwitchingTransistors	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
LMBT2369LT1G	文件：292.22 Kbytes Page：6 Pages	SwitchingTransistors	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
MMBT2369LT1	文件：88.35 Kbytes Page：6 Pages	SwitchingTransistorsNPNSilicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT2369LT1	文件：214.82 Kbytes Page：5 Pages	SwitchingTransistors(NPNSilicon) SwitchingTransistor NPNSilicon	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
MMBT2369LT1	文件：215.83 Kbytes Page：8 Pages	SwitcingTransistors SwitchingTransistors NPNSilicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT2369LT1	文件：304.79 Kbytes Page：8 Pages	SwitchingTransistors SwitchingTransistors NPNSilicon	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
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产品属性

产品编号：
SMMBT2369LT1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
250mV @ 1mA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
400nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 10mA，1V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
描述：
TRANS NPN 15V 0.2A SOT23-3

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