SMBT3906数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF

描述 Description

PNP Silicon Switching Transistors

特性 Features

· High DC current gain: 0.1 mA to 100 mA
· Low collector-emitter saturation voltage For SMBT3906S and SMBT3906U:
·Two (galvanic) internal isolated transistor with good matching in one package
· Complementary types: SMBT3904...MMBT3904 (NPN)
· SMBT3906S/ U: for orientation in reel see package information below
· Pb-free (RoHS compliant) package
· Qualified according AEC Q101

简介

SMBT3906属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的SMBT3906晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。