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SMBT35200MT1G数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF
| 厂商型号 |
SMBT35200MT1G |
| 参数属性 | SMBT35200MT1G 封装/外壳为SOT-23-6 细型，TSOT-23-6；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 35V 2A 6TSOP |
| 功能描述 | High Current Surface Mount PNP Silicon |
| 封装外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-8 17:13:00 |
| 人工找货 | SMBT35200MT1G价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
SMBT35200MT1G规格书详情
简介
SMBT35200MT1G属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的SMBT35200MT1G晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 产品编号：
SMBT35200MT1G
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
310mV @ 20mA，2A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 1.5A，1.5V
- 频率 - 跃迁：
100MHz
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
- 供应商器件封装：
6-TSOP
- 描述：
TRANS PNP 35V 2A 6TSOP
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
22+ |
SOT23-6 |
25000 |
只有原装原装,支持BOM配单 |
询价 | ||
ON |
23+ |
TSOP6 |
45000 |
原装正品现货 |
询价 | ||
LRC/乐山 |
25+ |
TSOP-6 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
LRC/乐山 |
24+ |
TSOP-6 |
360000 |
原装现货 |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
25+ |
SOT-163 |
20300 |
ONSEMI/安森美原装特价SMBT35200MT1G即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
2019+ |
SOT-163 |
78550 |
原厂渠道 可含税出货 |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
2511 |
TSOP-6 |
360000 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
NA/ |
6250 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
onsemi(安森美) |
24+ |
SOT-23-6 |
3022 |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 |
