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SMBT35200MT1G	文件：115.4 Kbytes Page：5 Pages	High Current Surface Mount PNP Silicon HighCurrentSurfaceMountPNPSiliconSwitchingTransistorforLoadManagementinPortableApplications Features •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUnique SiteandControlChangeRequirements •TheseDevicesarePb−Free,Haloge	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SMBT35200MT1G	文件：115.4 Kbytes Page：5 Pages	High Current Surface Mount PNP Silicon Switching Transistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SMBT35200MT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 35V 2A 6TSOP	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBT35200MT1	文件：115.4 Kbytes Page：5 Pages	HighCurrentSurfaceMountPNPSiliconSwitchingTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBT35200MT1	文件：115.4 Kbytes Page：5 Pages	HighCurrentSurfaceMountPNPSilicon HighCurrentSurfaceMountPNPSiliconSwitchingTransistorforLoadManagementinPortableApplications Features •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUnique SiteandControlChangeRequirements •TheseDevicesarePb−Free,Haloge	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBT35200MT1	文件：81.25 Kbytes Page：8 Pages	HighCurrentSurfaceMountPNPSiliconSwitchingTransistorforLoadManagementinPortableApplications HighCurrentSurfaceMountPNPSiliconSwitchingTransistorforLoadManagementinPortableApplications Features •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUnique SiteandControlChangeRequirements •TheseDevicesarePb−Free,Haloge	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBT35200MT1	文件：64.66 Kbytes Page：6 Pages	HighCurrentSurfaceMountPNPSiliconSwitchingTransistorforLoadManagementinPortableApplications	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBT35200MT1G	文件：115.4 Kbytes Page：5 Pages	HighCurrentSurfaceMountPNPSiliconSwitchingTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBT35200MT1G	文件：115.4 Kbytes Page：5 Pages	HighCurrentSurfaceMountPNPSilicon HighCurrentSurfaceMountPNPSiliconSwitchingTransistorforLoadManagementinPortableApplications Features •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUnique SiteandControlChangeRequirements •TheseDevicesarePb−Free,Haloge	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBT35200MT1G	文件：64.66 Kbytes Page：6 Pages	HighCurrentSurfaceMountPNPSiliconSwitchingTransistorforLoadManagementinPortableApplications	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

产品属性

产品编号：
SMBT35200MT1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
310mV @ 20mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 1.5A，1.5V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
供应商器件封装：
6-TSOP
描述：
TRANS PNP 35V 2A 6TSOP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多SMBT35200MT1G供应商更新时间2025-7-21 23:00:00

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