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SMBT3906	文件：110.16 Kbytes Page：7 Pages	PNP Silicon Switching Transistor PNP Silicon Switching Transistors • High DC current gain: 0.1 mA to 100 mA • Low collector-emitter saturation voltage • For SMBT3906S and SMBT3906U: Two (galvanic) internal isolated transistor with good matching in one package • Complementary types: SMBT3904...MMBT3904 (NPN) • SMB 文件：110.16 Kbytes 页数：7 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SMBT3906	文件：888.02 Kbytes Page：13 Pages	High DC current gain: 0.1 mA to 100 mA Low collector-emitter saturation voltage 文件：888.02 Kbytes 页数：13 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SMBT3906	文件：300 bytes Page：1 Pages	AF 快速开关晶体管 PNP硅开关晶体管 • 高直流电流增益：0.1 mA 至 100 mA\n• 两个（电流）内部隔离晶体管，在一个封装中具有良好的匹配性\n• SMBT3906S/U：有关卷轴方向，请参见下面的封装信息\n• 符合 AEC Q101 要求;	Infineon 英飞凌	Infineon
SMBT3906S	文件：68.23 Kbytes Page：8 Pages	PNP Silicon Switching Transistor Array PNP Silicon Switching Transistor Array • High DC current gain: 0.1mA to 100mA • Low collector-emitter saturation voltage • Two ( galvanic) internal isolated Transistors with high matching in one package • Complementary type: SMBT 3904S (NPN) 文件：68.23 Kbytes 页数：8 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
SMBT3906S	文件：76.76 Kbytes Page：8 Pages	PNP Silicon Switching Transistor Array PNP Silicon Switching Transistors • High DC current gain: 0.1 mA to 100 mA • Low collector-emitter saturation voltage • For SMBT3906S and SMBT3906U: Two (galvanic) internal isolated transistor with good matching in one package • Complementary types: SMBT3904...MMBT3904 (NPN) • SMB 文件：76.76 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SMBT3906U	文件：77.65 Kbytes Page：8 Pages	PNP Silicon Switching Transistor Array PNP Silicon Switching Transistors • High DC current gain: 0.1 mA to 100 mA • Low collector-emitter saturation voltage • For SMBT3906S and SMBT3906U: Two (galvanic) internal isolated transistor with good matching in one package • Complementary types: SMBT3904...MMBT3904 (NPN) • SMB 文件：77.65 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SMBT3906/MMBT3906	文件：892.14 Kbytes Page：12 Pages	PNP Silicon Switching Transistors 文件：892.14 Kbytes 页数：12 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SMBT3906_08	文件：888.02 Kbytes Page：13 Pages	High DC current gain: 0.1 mA to 100 mA Low collector-emitter saturation voltage 文件：888.02 Kbytes 页数：13 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SMBT3906DW1	文件：132.5 Kbytes Page：6 Pages	Dual General Purpose Transistor 文件：132.5 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
SMBT3906DW1T1G	文件：132.5 Kbytes Page：6 Pages	Dual General Purpose Transistor 文件：132.5 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

hFE：
100 to 300
ICBOmax：
50 nA
ICmax：
10 mA
IC：
200 mA
Ptotmax：
330 mW
VCBOmax：
40 V
VCEOmax：
40 V
VCE：
1 V
VEBOmax：
5 V
Polarity：
PNP (Single)

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更多SMBT3906供应商更新时间2025-10-4 22:59:00

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