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SMBT3906 | PNP Silicon Switching Transistor PNPSiliconSwitchingTransistors •HighDCcurrentgain:0.1mAto100mA •Lowcollector-emittersaturationvoltage •ForSMBT3906SandSMBT3906U: Two(galvanic)internalisolatedtransistor withgoodmatchinginonepackage •Complementarytypes: SMBT3904...MMBT3904(NPN) •SMB | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | Infineon | |
SMBT3906 | High DC current gain: 0.1 mA to 100 mA Low collector-emitter saturation voltage | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | Infineon | |
PNP Silicon Switching Transistor Array PNPSiliconSwitchingTransistors •HighDCcurrentgain:0.1mAto100mA •Lowcollector-emittersaturationvoltage •ForSMBT3906SandSMBT3906U: Two(galvanic)internalisolatedtransistor withgoodmatchinginonepackage •Complementarytypes: SMBT3904...MMBT3904(NPN) •SMB | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | Infineon | ||
PNP Silicon Switching Transistor Array PNPSiliconSwitchingTransistorArray •HighDCcurrentgain:0.1mAto100mA •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Two(galvanic)internalisolatedTransistors withhighmatchinginonepackage •Complementarytype:SMBT3904S(NPN) | SIEMENS Siemens Ltd | SIEMENS | ||
PNP Silicon Switching Transistor Array PNPSiliconSwitchingTransistors •HighDCcurrentgain:0.1mAto100mA •Lowcollector-emittersaturationvoltage •ForSMBT3906SandSMBT3906U: Two(galvanic)internalisolatedtransistor withgoodmatchinginonepackage •Complementarytypes: SMBT3904...MMBT3904(NPN) •SMB | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | Infineon | ||
PNP Silicon Switching Transistors | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | Infineon | ||
High DC current gain: 0.1 mA to 100 mA Low collector-emitter saturation voltage | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | Infineon | ||
Dual General Purpose Transistor | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ONSEMI | ||
Dual General Purpose Transistor | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ONSEMI | ||
PNP Silicon Switching Transistors | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | Infineon | ||
PNP Silicon Switching Transistors | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | Infineon | ||
High DC current gain: 0.1 mA to 100 mA Low collector-emitter saturation voltage | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | Infineon | ||
High DC current gain: 0.1 mA to 100 mA Low collector-emitter saturation voltage | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | Infineon | ||
PNP Silicon Switching Transistors | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | Infineon | ||
包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 描述：TRANS PNP 40V 0.2A SOT23 | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | Infineon | ||
TUBEAXIAL | EBMPAPST ebm-papst | EBMPAPST | ||
ACaxialcompactfan | EBMPAPST ebm-papst | EBMPAPST | ||
TUBEAXIAL | EBMPAPST ebm-papst | EBMPAPST | ||
ACaxialcompactfan | EBMPAPST ebm-papst | EBMPAPST | ||
ACaxialcompactfan | EBMPAPST ebm-papst | EBMPAPST |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
- 性质：
射频/高频放大 （HF）_通用 （G）
- 封装形式：
贴片封装
- 极限工作电压：
40V
- 最大电流允许值：
0.2A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
- 最大耗散功率：
0.33W
- 放大倍数：
- 图片代号：
H-15
- vtest：
40
- htest：
999900
- atest：
.2
- wtest：
.33
详细参数
- 型号：
SMBT3906
- 制造商：
Rochester Electronics LLC
- 功能描述：
- Bulk
- 制造商：
Infineon Technologies AG
- 功能描述：
TRANSISTOR PNP SOT-23
- 功能描述：
TRANSISTOR, PNP, SOT-23
- 功能描述：
TRANSISTOR, PNP, 40V, 200mA, SOT-23-3; Transistor Polarity
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
1808+ |
15000 |
原装现货 支持实单 |
询价 | |||
Infineon/英飞凌 |
SOT23-3 |
7600 |
原装正品 |
询价 | |||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
标准封装 |
11048 |
原厂渠道供应,大量现货,原型号开票。 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
2019+ |
SOT23 |
36000 |
原盒原包装 可BOM配套 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
SOT23 |
13500 |
代理授权直销,原装现货,假一罚十,长期稳定供应,特 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
NA |
7000 |
工厂现货!原装正品! |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
21+23+ |
SOT-23 |
30000 |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
SIEMENS |
23+ |
SMD |
2500 |
绝对全新原装!现货!特价!请放心订购! |
询价 | ||
INFINEON |
16+ |
SOT23 |
5094 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
Infineon |
SOT-23 |
3000 |
自己现货 |
询价 |
