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SMBT3904 | NPN Silicon Switching Transistor NPNSiliconSwitchingTransistors •HighDCcurrentgain:0.1mAto100mA •Lowcollector-emittersaturationvoltage •ForSMBT3904S: Two(galvanic)internalisolatedtransistors withgoodmatchinginonepackage •Complementarytypes:SMBT3906...MMBT3906 •SMBT3904S:Fororientat | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 |  | |
SMBT3904 | NPN Silicon Switching Transistors | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | |
SMBT3904 | NPN Silicon Switching Transistors | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | |
SMBT3904 | NPN Silicon Switching Transistor | SIEMENS Siemens Ltd |  | |
Dual General Purpose Transistors TheMBT3904DW1andMBT3904DW2devicesareaspin−offofourpopularSOT−23/SOT−323three−leadeddevice.ItisdesignedforgeneralpurposeamplifierapplicationsandishousedintheSOT−363six−leadedsurfacemountpackage.Byputtingtwodiscretedevicesinonepackage,thisdeviceisidealfor | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 |  | ||
Dual General Purpose Transistors TheMBT3904DW1andMBT3904DW2devicesareaspin−offofourpopularSOT−23/SOT−323three−leadeddevice.ItisdesignedforgeneralpurposeamplifierapplicationsandishousedintheSOT−363six−leadedsurfacemountpackage.Byputtingtwodiscretedevicesinonepackage,thisdeviceisidealfor | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | | ||
Dual General Purpose Transistors TheMBT3904DW1andMBT3904DW2devicesareaspin−offofourpopularSOT−23/SOT−323three−leadeddevice.ItisdesignedforgeneralpurposeamplifierapplicationsandishousedintheSOT−363six−leadedsurfacemountpackage.Byputtingtwodiscretedevicesinonepackage,thisdeviceisidealfor | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | | ||
NPN/PNP Silicon Switching Transistor Array NPN/PNPSiliconSwitchingTransistorArray •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Two(galvanic)internalisolatedNPN/PNPtransistorinonepackage •Pb-free(RoHScompliant)package •QualifiedaccordingAECQ101 | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | ||
NPN Silicon Switching Transistor Array NPNSiliconSwitchingTransistorArray •HighDCcurrentgain:0.1mAto100mA •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Two(galvanic)internalisolatedTransistors withhighmatchinginonepackage •Complementarytype:SMBT3906S(PNP) | SIEMENS Siemens Ltd | | ||
NPN Silicon Switching Transistor Array NPNSiliconSwitchingTransistors •HighDCcurrentgain:0.1mAto100mA •Lowcollector-emittersaturationvoltage •ForSMBT3904S: Two(galvanic)internalisolatedtransistors withgoodmatchinginonepackage •Complementarytypes:SMBT3906...MMBT3906 •SMBT3904S:Fororientat | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | ||
NPN Silicon Switching Transistor Array NPNSiliconSwitchingTransistors •HighDCcurrentgain:0.1mAto100mA •Lowcollector-emittersaturationvoltage •ForSMBT3904S/SMBT3904U:Two(galvanic)internalisolatedtransistorswithgoodmatchinginonepackage •Complementarytypes:SMBT3906...MMBT3906 •SMBT3904S/U:Foror | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | ||
NPN/PNP Silicon Switching Transistor Array NPN/PNPSiliconSwitchingTransistorArray •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Two(galvanic)internalisolatedNPN/PNPtransistorinonepackage •Pb-free(RoHScompliant)package •QualifiedaccordingAECQ101 | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | ||
NPN Silicon Switching Transistors | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | ||
NPN Silicon Switching Transistors | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | ||
NPN / PNP Silicon Switching Transistor Array Low collector-emitter saturation voltage | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | ||
NPN / PNP Silicon Switching Transistor Array | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | ||
NPN / PNP Silicon Switching Transistor Array Low collector-emitter saturation voltage | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | ||
NPN / PNP Silicon Switching Transistor Array | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | ||
NPN Silicon Switching Transistors | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | ||
NPN Silicon Switching Transistors | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
- 性质：
射频/高频放大 （HF）_静噪放大 （LN）_宽频带放大
- 封装形式：
贴片封装
- 极限工作电压：
60V
- 最大电流允许值：
0.2A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
- 最大耗散功率：
0.33W
- 放大倍数：
- 图片代号：
H-15
- vtest：
60
- htest：
999900
- atest：
.2
- wtest：
.33
详细参数
- 型号：
SMBT3904
- 制造商：
Infineon Technologies AG
- 功能描述：
TRANSISTOR NPN SOT-23
- 功能描述：
TRANSISTOR, NPN, SOT-23
- 功能描述：
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 40V; Transistor
- Polarity：
NPN; Collector Emitter Voltage
- V(br)ceo：
40V; Transition Frequency Typ
- ft：
270MHz; Power Dissipation
- Pd：
330mW; DC Collector
- Current：
200mA; DC Current Gain
- hFE：
100; No. of
- Pins：
3 ;RoHS
- Compliant：
Yes
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
2024+ |
SOT23 |
50000 |
原装正品 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
标准封装 |
19339 |
原厂渠道供应,大量现货,原型号开票。 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
21+ |
SOT23 |
20000 |
只做正品原装现货 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
21+23+ |
SOT-23 |
2854 |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
Infineon |
SOT-23 |
3000 |
自己现货 |
询价 | |||
Infineon |
2017+ |
SOT23-3 |
48595 |
深圳香港代理原装现货库存(美国-日本-台湾)可开正规增 |
询价 | ||
INFINEON |
13+ |
SOT23 |
37500 |
特价热销现货库存 |
询价 | ||
infineon |
16+ |
原厂封装 |
3000 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
INFINEON |
22+ |
SOT-23 |
4897 |
绝对原装!现货热卖! |
询价 | ||
INFINEO |
2020+ |
SOT-23 |
3950 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
询价 |
