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SMBT3904DW1T1G中文资料安森美半导体数据手册PDF规格书

SMBT3904DW1T1G
厂商型号

SMBT3904DW1T1G

功能描述

Dual General Purpose Transistors

文件大小

138.28 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-28 17:35:00

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SMBT3904DW1T1G规格书详情

The MBT3904DW1 and MBT3904DW2 devices are a spin−off of our popular SOT−23/SOT−323 three−leaded device. It is designed for general purpose amplifier applications and is housed in the SOT−363 six−leaded surface mount package. By putting two discrete devices in one package, this device is ideal for low−power surface mount applications where board space is at a premium.

Features

• hFE, 100−300

• Low VCE(sat), ≤ 0.4 V

• Simplifies Circuit Design

• Reduces Board Space

• Reduces Component Count

• Available in 8 mm, 7−inch/3,000 Unit Tape and Reel

• S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring

Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101

Qualified and PPAP Capable

• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant

产品属性

  • 型号:

    SMBT3904DW1T1G

  • 功能描述:

    两极晶体管 - BJT SS GP XSTR NPN 40V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    PowerFLAT 2 x 2

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON
2020+
SC-88-6 / SC-70-6 /
15000
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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SOT-363
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全新、原装
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