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SSF2300A	文件：407.61 Kbytes Page：7 Pages	Batteryprotection DESCRIPTION TheSSF2300AusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas2.5V.ThisdeviceissuitableforuseasaBatteryprotectionorinotherSwitchingapplication. GENERALFEATURES ●VDS=20V,ID=4.5A RDS(ON)	SILIKRONSilikron Semiconductor Co.,LTD. 新硅能微电子新硅能微电子(苏州)有限公司	SILIKRON
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SSF2300B	文件：409.41 Kbytes Page：4 Pages	20VN-ChannelMOSFET DESCRIPTION TheSSF2300BusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas2.5V.ThisdeviceissuitableforuseasaBatteryprotectionorinotherSwitchingapplication. GENERALFEATURES ●VDS=20V,ID=4.5A RDS(ON)	Good-Ark GOOD-ARK Electronics	Good-Ark
SSF2300B	文件：369.97 Kbytes Page：5 Pages	Batteryprotection DESCRIPTION TheSSF2300BusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas2.5V.ThisdeviceissuitableforuseasaBatteryprotectionorinotherSwitchingapplication. GENERALFEATURES ●VDS=20V,ID=4.5A RDS(ON)	SILIKRONSilikron Semiconductor Co.,LTD. 新硅能微电子新硅能微电子(苏州)有限公司	SILIKRON
SSF2300P	文件：1.17039 Mbytes Page：6 Pages	AdvancedMOSFETprocesstechnology FeaturesandBenefits AdvancedMOSFETprocesstechnology SpecialdesignedforPWM,loadswitchingand generalpurposeapplications Ultralowon-resistancewithlowgatecharge Fastswitchingandreversebodyrecovery 150℃operatingtemperature Description Itutilizesthelatest	SILIKRONSilikron Semiconductor Co.,LTD. 新硅能微电子新硅能微电子(苏州)有限公司	SILIKRON
SSF2300UP	文件：1.16821 Mbytes Page：6 Pages	AdvancedMOSFETprocesstechnology FeaturesandBenefits AdvancedMOSFETprocesstechnology SpecialdesignedforPWM,loadswitchingand generalpurposeapplications Ultralowon-resistancewithlowgatecharge Fastswitchingandreversebodyrecovery 150℃operatingtemperature Description Itutilizesthelatest	SILIKRONSilikron Semiconductor Co.,LTD. 新硅能微电子新硅能微电子(苏州)有限公司	SILIKRON
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