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SUPRAHD-640	文件：116.99 Kbytes Page：2 Pages	ReferenceDesign	ZoranZoran Corporation 卓然美国卓然股份有限公司	Zoran
SVD640D	文件：406.39 Kbytes Page：8 Pages	18A,200VN-CHANNELMOSFET GENERALDESCRIPTION SVD640T/D/FisanN-channelenhancementmodepowerMOSfield effecttransistorwhichisproducedusingSilanproprietaryS-RinTM structuremiddle/low-voltageVDMOStechnology.Theimprovedplanar stripecellandtheimprovedguardringterminalhavebeenespecially tailore	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士兰微杭州士兰微电子股份有限公司	SILAN
SVD640DTR	文件：406.39 Kbytes Page：8 Pages	18A,200VN-CHANNELMOSFET GENERALDESCRIPTION SVD640T/D/FisanN-channelenhancementmodepowerMOSfield effecttransistorwhichisproducedusingSilanproprietaryS-RinTM structuremiddle/low-voltageVDMOStechnology.Theimprovedplanar stripecellandtheimprovedguardringterminalhavebeenespecially tailore	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士兰微杭州士兰微电子股份有限公司	SILAN
SVD640F	文件：406.39 Kbytes Page：8 Pages	18A,200VN-CHANNELMOSFET GENERALDESCRIPTION SVD640T/D/FisanN-channelenhancementmodepowerMOSfield effecttransistorwhichisproducedusingSilanproprietaryS-RinTM structuremiddle/low-voltageVDMOStechnology.Theimprovedplanar stripecellandtheimprovedguardringterminalhavebeenespecially tailore	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士兰微杭州士兰微电子股份有限公司	SILAN
SVD640S	文件：368.31 Kbytes Page：9 Pages	18A,200VN-CHANNELMOSFET GENERALDESCRIPTION SVD640T/D/SisanN-channelenhancementmodepowerMOSfield effecttransistorwhichisproducedusingSilanproprietaryS-RinTM structureVDMOStechnology.Theimprovedprocessandcellstructure havebeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,provide super	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士兰微杭州士兰微电子股份有限公司	SILAN
SVD640STR	文件：368.31 Kbytes Page：9 Pages	18A,200VN-CHANNELMOSFET GENERALDESCRIPTION SVD640T/D/SisanN-channelenhancementmodepowerMOSfield effecttransistorwhichisproducedusingSilanproprietaryS-RinTM structureVDMOStechnology.Theimprovedprocessandcellstructure havebeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,provide super	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士兰微杭州士兰微电子股份有限公司	SILAN
SVD640T	文件：406.39 Kbytes Page：8 Pages	18A,200VN-CHANNELMOSFET GENERALDESCRIPTION SVD640T/D/FisanN-channelenhancementmodepowerMOSfield effecttransistorwhichisproducedusingSilanproprietaryS-RinTM structuremiddle/low-voltageVDMOStechnology.Theimprovedplanar stripecellandtheimprovedguardringterminalhavebeenespecially tailore	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士兰微杭州士兰微电子股份有限公司	SILAN
SVF640T	文件：1.8167 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
SW640	文件：582.65 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET [SEMIPOWER] GeneralDescription ThispowerMOSFETisproducedinSAMWINwithadvancedVDMOSprocess,planarstripe.ThistechnologyenablepowerMOSFETtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandespeciallyexcellentavalanchecharacteristic	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
SW640	文件：352.2 Kbytes Page：1 Pages	GeneralBattery	SUNNYWAYShenzhen Sunnyway Battery Tech Co.Ltd. 三威电源深圳市三威电源科技有限公司	SUNNYWAY

详细参数

型号：
SMA640ATR
功能描述：
MOSFET Hi-Gain Lo-Noise Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多SMA640ATR供应商更新时间2025-6-9 11:16:00

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