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SM8S33AT数据手册电路保护的TVS-二极管规格书PDF

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厂商型号

SM8S33AT

参数属性

SM8S33AT 封装/外壳为DO-218AC;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为电路保护的TVS-二极管;SM8S33AT应用范围:汽车级;产品描述:TVS DIODE 33VWM 53.3VC DO218AC

功能描述

Surface Mount PAR® Transient Voltage Suppressors High Temperature Stability and High Reliability Conditions

封装外壳

DO-218AC

制造商

Vishay Vishay Siliconix

中文名称

威世科技 威世科技半导体

数据手册

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更新时间

2025-8-17 23:01:00

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SM8S33AT规格书详情

描述 Description

分立

特性 Features

Junction passivation optimized design passivated anisotropic rectifier technology
TJ = 175 °C capability suitable for high reliability and automotive requirement
Available in unidirectional polarity only

应用 Application

Use in sensitive electronics protection against voltage transients induced by inductive load switching and lighting, especially for automotive load dump protection application.

技术参数

  • 产品编号:

    SM8S33ATHE3/I

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 类别:

    电路保护 > TVS - 二极管

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101, PAR®

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 类型:

    齐纳

  • 电压 - 反向断态(典型值):

    33V

  • 电压 - 击穿(最小值):

    36.7V

  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):

    53.3V

  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs):

    124A

  • 功率 - 峰值脉冲:

    6600W(6.6kW)

  • 电源线路保护:

  • 应用:

    汽车级

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    DO-218AC

  • 供应商器件封装:

    DO-218AC

  • 描述:

    TVS DIODE 33VWM 53.3VC DO218AC

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