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SM8S33A-Q中文资料车规瞬态抑制二极管/TVS数据手册SSGSEMI规格书

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厂商型号

SM8S33A-Q

参数属性

SM8S33A-Q 封装/外壳为DO-218AB;包装为卷带(TR)剪切带(CT);类别为电路保护的TVS-二极管;SM8S33A-Q应用范围:汽车级;产品描述:TVS DIODE 33VWM 53.3VC DO218

功能描述

车规瞬态抑制二极管/TVS

封装外壳

DO-218AB

制造商

SSGSEMI SSG SEMI(ShenZhen)Co.,LTD

中文名称

世晶半导体 世晶半导体(深圳)有限公司

数据手册

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更新时间

2025-10-8 17:01:00

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技术参数

  • 产品编号:

    SM8S33A-Q

  • 制造商:

    Bourns Inc.

  • 类别:

    电路保护 > TVS - 二极管

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101, SM8SF-Q

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)

  • 类型:

    齐纳

  • 电压 - 反向断态(典型值):

    33V

  • 电压 - 击穿(最小值):

    36.7V

  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):

    53.3V

  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs):

    124A

  • 功率 - 峰值脉冲:

    6600W(6.6kW)

  • 电源线路保护:

  • 应用:

    汽车级

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    DO-218AB

  • 供应商器件封装:

    DO-218

  • 描述:

    TVS DIODE 33VWM 53.3VC DO218

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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