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深圳市福田区吉富昌电子商行

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深圳市昌和盛利电子有限公司

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深圳市坤融电子科技有限公司

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深圳市利芯伟业科技有限公司

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深圳市高捷芯城科技有限公司

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深圳市硅宇电子有限公司

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二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口

深圳市安富世纪电子有限公司

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易创佳业科技(深圳)有限公司

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深圳市丰毅达电子科技有限公司

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全新原装优势热销

深圳市科恒伟业电子有限公司

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深圳市科恒伟业电子有限公司

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深圳市周芯芯半导体有限公司

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周芯芯只做原装

深圳市得捷芯城科技有限公司

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深圳市得捷芯城科技有限公司

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深圳市向鸿伟业电子有限公司

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深圳市明嘉莱科技有限公司

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深圳市跃创芯科技有限公司

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SM8S33A-TP中文资料Alldatasheet PDF

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SM8S33A/2E功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 8W 33V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C

SM8S33A\2D制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Diode TVS Single Uni-Dir 33V 6.6KW 2-Pin DO-218AB T/R

SM8S33A-E3/2D功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 8W 33V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C

SM8S33A-E3/2E功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 8.0W 33V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C

SM8S33AHE3/2D功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 8.0W 33V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C

SM8S33AHE3/2E功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 8.0W 33V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C

产品属性

  • 产品编号:

    SM8S33A

  • 制造商:

    SMC Diode Solutions

  • 类别:

    电路保护 > TVS - 二极管

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 类型:

    齐纳

  • 电压 - 反向断态(典型值):

    33V

  • 电压 - 击穿(最小值):

    36.7V

  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):

    53.3V

  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs):

    124A

  • 功率 - 峰值脉冲:

    6600W(6.6kW)

  • 电源线路保护:

  • 应用:

    汽车级

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    DO-218AB

  • 供应商器件封装:

    DO-218AB

  • 描述:

    TVS DIODE 33VWM 53.3VC DO218AB