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SISS27DN-T1-GE3_VISHAY/威世科技_MOSFET -30V 5.6mOhm@10V -50A P-Ch G-III中天科工二部

SISS27DN-T1-GE3

图片仅供参考，请参阅产品规格书

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1+
  • 厂家型号：

    SISS27DN-T1-GE3

  • 产品分类：

    芯片

  • 生产厂商：

    VISHAY/威世

  • 库存数量：

    32000

  • 产品封装：

    PAK-1212-8S

  • 生产批号：

    25+

  • 库存类型：

    热卖库存

  • 更新时间：

    2025-7-31 16:22:00

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原厂料号：SISS27DN-T1-GE3品牌：VISHAY/威世

VISHAY/威世全新特价SISS27DN-T1-GE3即刻询购立享优惠#长期有货

  • 芯片型号：

    SISS27DN-T1-GE3

  • 规格书：

    下载

  • 企业简称：

    ZHAOXINGWEI详情

  • 厂商全称：

    Zhaoxingwei Electronics ., Ltd

  • 内容页数：

    6 页

  • 文件大小：

    592.44 kb

  • 资料说明：

    30V P-Channel MOSFET

产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号：

    SISS27DN-T1-GE3

  • 功能描述：

    MOSFET -30V 5.6mOhm@10V -50A P-Ch G-III

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Vishay Semiconductors

  • 晶体管极性：

    P-Channel

  • 汲极/源极击穿电压：

    30 V

  • 闸/源击穿电压：

    +/- 20 V

  • 漏极连续电流：

    50 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）：

    5.6 mOhms

  • 配置：

    Single

  • 最大工作温度：

    + 150 C

  • 安装风格：

    SMD/SMT

  • 封装/箱体：

    PowerPAK 1212-8

  • 封装：

    Reel

供应商

  • 企业：

    中天科工半导体（深圳）有限公司

  • 商铺：

    进入商铺留言

  • 联系人：

    李先生

  • 手机：

    13128990370

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    13128990370/微信同号

  • 地址：

    深圳市福田区赛格广场54层5406-5406B

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