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---|---|---|---|---|
SISS27DN-T1-GE3 | 30V P-Channel MOSFET | ZHAOXINGWEI Zhaoxingwei Electronics ., Ltd | ZHAOXINGWEI |
详细参数
- 型号:
SISS27DN-T1-GE3
- 功能描述:
MOSFET -30V 5.6mOhm@10V -50A P-Ch G-III
- RoHS:
否
- 制造商:
Vishay Semiconductors
- 晶体管极性:
P-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
30 V
- 闸/源击穿电压:
+/- 20 V
- 漏极连续电流:
50 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
5.6 mOhms
- 配置:
Single
- 最大工作温度:
+ 150 C
- 安装风格:
SMD/SMT
- 封装/箱体:
PowerPAK 1212-8
- 封装:
Reel
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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IR |
2020+ |
POWERPAK1 |
22000 |
全新原装正品 现货库存 价格优势 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
25+ |
PAK-1212-8S |
32000 |
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VISHAY |
16+ |
POWERPA |
36000 |
原装正品,优势库存81 |
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VISHAY |
21+ |
POWERPAK1212-8S |
3300 |
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VISHAY |
24+ |
QFN |
5000 |
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VISHAY |
23+ |
PowerAPK 1212-8 Single [3.30 x |
3000 |
原装现货支持送检 |
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Vishay(威世) |
2249+ |
PowerPAK 1212-8S |
60406 |
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VISHAY |
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PPAK1212-8 |
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VISHAY(威世) |
24+ |
PowerPAK1212-8S |
9908 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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VISHAY/威世 |
23+/24+ |
PowerPAK-1212-8 |
9865 |
优势库存.原装正品.终端BOM表可配单 |
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更新时间2025-7-30 9:04:00
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