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SISS27DN-T1-GE3

30V P-Channel MOSFET

文件:592.44 Kbytes 页数:6 Pages

ZHAOXINGWEI

SISS32DN-T1-GE3

PPAK1212-8S

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

上传:深圳市长旗科技有限公司

SIT1050T

sop8

芯力特

SIT1533AI-H4-DCC-32.768E

SMD

SITIME/赛特时脉

上传:深圳市瑞卓芯科技有限公司

SITIME/赛特时脉

SiT1602BI-13-25S-24.000000

SMD-4

SITIME/赛特时脉

上传:深圳市瑞卓芯科技有限公司

SITIME/赛特时脉

详细参数

  • 型号:

    SISS27DN-T1-GE3

  • 功能描述:

    MOSFET -30V 5.6mOhm@10V -50A P-Ch G-III

  • RoHS:

  • 制造商:

    Vishay Semiconductors

  • 晶体管极性:

    P-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    30 V

  • 闸/源击穿电压:

    +/- 20 V

  • 漏极连续电流:

    50 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    5.6 mOhms

  • 配置:

    Single

  • 最大工作温度:

    + 150 C

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    PowerPAK 1212-8

  • 封装:

    Reel

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更多SISS27DN-T1-GE3供应商 更新时间2025-11-26 11:04:00