SiS890ADN中文资料N-Channel 100 V (D-S) MOSFET数据手册Vishay规格书
SiS890ADN规格书详情
特性 Features
• TrenchFET® Gen IV power MOSFET
• Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)
• Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM
技术参数
- 制造商编号
：SIS890ADN
- 生产厂家
：Vishay
- Package
：PowerPAK 1212-8
- Ch
：N
- VDS (V)
：100
- VGS (V)
：20
- RDS(on)@4.5V (Ω)
：0.029
- RDS(on)@10V (Ω)
：0.0255
- Qg @4.5V (nC)
：8.8
- Qg @10V (nC)
：19.2
- Qgs (nC)
：4.3
- Qgd (nC)
：2.1
- ID Max. (A)
：24.7
- PD Max. (W)
：39
- VGS(th) Min. (V)
：1
- Rg Typ. (Ω)
：0.87
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY(威世) |
24+ |
PowerPAK12128 |
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威世VISHAY |
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VISHAY/威世 |
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PowerPAK1212-8 |
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VISHAY/威世 |
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