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SiS778DN数据手册Vishay中文资料规格书

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厂商型号

SiS778DN

功能描述

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode

制造商

Vishay Vishay Siliconix

中文名称

威世科技 威世科技半导体

数据手册

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更新时间

2025-8-9 8:49:00

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技术参数

  • 型号:

    SIS778DN

  • 功能描述:

    MOSFET 30 Volts 35 Amps 52 Watts

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY/威世
23+
PowerPAK1212-8
7000
询价
询价QQ2850920316
21+
PowerPAK1212-8
10000
原装现货假一罚十
询价
Vishay(威世)
24+
N/A
11800
可配单提供样品
询价
VISHAY/威世
21+
QFN8
2542
询价
Vishay Siliconix
2022+
PowerPAK? 1212-8
38550
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销
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VISHAY
2020+
PowerPA
144000
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
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Vishay(威世)
23+
N/A
11800
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VISHAY/威世
24+
NA/
8955
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VISHAY
20+
DFN33
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