SiS4608DN中文资料N-Channel 60 V (D-S) MOSFET数据手册Vishay规格书
SiS4608DN规格书详情
特性 Features
• TrenchFET® Gen IV power MOSFET
• Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)
• Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM
技术参数
- 制造商编号
：SIS4608DN
- 生产厂家
：Vishay
- Package
：PowerPAK 1212-8
- Ch
：N
- VDS (V)
：60
- VGS (V)
：20
- RDS(on)@7.5V (Ω)
：0.015
- RDS(on)@10V (Ω)
：0.0118
- Qg @10V (nC)
：11.7
- Qgs (nC)
：4.2
- Qgd (nC)
：1.9
- ID Max. (A)
：35.7
- PD Max. (W)
：27.1
- VGS(th) Min. (V)
：2
- Rg Typ. (Ω)
：1.5
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Vishay(威世) |
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