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SIR878ADP	文件：351.39 Kbytes Page：13 Pages	N-Channel 100 V (D-S) MOSFET	TFUNKVishay Telefunken 威世威世（VISHAY）集团	TFUNK
SIR878ADP	文件：521.45 Kbytes Page：13 Pages	N-Channel 100 V (D-S) MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIR878ADP_1209	文件：522.21 Kbytes Page：13 Pages	N-Channel 100 V (D-S) MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIR878ADP_15	文件：346.95 Kbytes Page：14 Pages	N-Channel 100 V (D-S) MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIR878BDP	文件：393.77 Kbytes Page：13 Pages	N-Channel100V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIR878DP	文件：507.75 Kbytes Page：13 Pages	N-Channel100V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
STD878	文件：261.18 Kbytes Page：10 Pages	Highcurrent,highperformance,lowvoltageNPNtransistors Description ThedevicesaremanufacturedinlowvoltageNPNplanartechnologywith“baseisland”layout.theresultingtransistorshowsexceptionalhighgainperformancecoupledwithverylowsaturationvoltage. Features ■Verylowcollectortoemittersaturationvoltage ■DCcurrentgain,hFE	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STN878	文件：141.82 Kbytes Page：10 Pages	Mediumcurrent,highperformance,lowvoltageNPNtransistor Description ThedevicesaremanufacturedinlowvoltageNPNplanartechnologywith“baseisland”layout.theresultingtransistorshowsexceptionalhighgainperformancecoupledwithverylowsaturationvoltage. Features ■Verylowcollectortoemittersaturationvoltage ■DCcurrentgain,hFE	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STN878	文件：261.18 Kbytes Page：10 Pages	Highcurrent,highperformance,lowvoltageNPNtransistors Description ThedevicesaremanufacturedinlowvoltageNPNplanartechnologywith“baseisland”layout.theresultingtransistorshowsexceptionalhighgainperformancecoupledwithverylowsaturationvoltage. Features ■Verylowcollectortoemittersaturationvoltage ■DCcurrentgain,hFE	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
TSD-878	文件：41.76 Kbytes Page：4 Pages	SWITCHMODEDC/DCPOWERCONVERSIONTRANSFORMERS	PMI Premier Magnetics, Inc.	PMI

详细参数

型号：
SIR878ADP
功能描述：
MOSFET 100V 14mOhm@10V 40A N-Ch MV T-FET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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