选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
深圳市向鸿伟业电子有限公司12年
留言
|
VISHAY/威世QFN8 |
15300 |
22+ |
原装正品,低价热卖!~24小时欢迎来电咨询,李先生13751179224! |
|||
|
中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
|
原装NA |
38183 |
23+ |
|
热卖原装进口 |
||
|
深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
|
3621 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
||||
|
深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
|
VISHAY(威世)PowerPAK1212-8 |
9908 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
|||
|
深圳市卓越微芯电子有限公司10年
留言
|
VISHAYQFN8 |
9500 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
|||
|
深圳市卓越微芯电子有限公司10年
留言
|
VISHAYQFN8 |
18600 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
|||
|
深圳市嘉合泰电子有限公司3年
留言
|
VISHAY/威世QFN8 |
3612 |
21+ |
支持实单 申请价更优 18922892780 |
|||
|
深圳兆威电子有限公司5年
留言
|
VISHAY/威世PowerPAK-1212-8 |
8004 |
1903+ |
只做原装正品 |
|||
|
贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司5年
留言
|
VISHAYQFN8 |
2995 |
19+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
|
深圳市广弘电子有限公司4年
留言
|
VISHAY/威世DFN3X3-8 |
5500 |
20+ |
代理库存,房间现货,有挂就是现货 |
|||
|
深圳市硅宇电子有限公司10年
留言
|
Vishay(威世)PowerPAK 1212-8 |
58799 |
2249+ |
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
|||
|
深圳市森泰鸿科技有限公司3年
留言
|
VISHAYPowerPAK-1212-8 |
8990 |
22+ |
只做原装正品,工厂现货,支持实单 |
|||
|
中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
|
Vishay SiliconixPowerPAK? 1212-8 |
30000 |
23+ |
|
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
||
|
深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
|
Vishay(威世)PowerPAK 12128 |
7350 |
23+ |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
|||
|
深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
|
VISHAY/威世NA/ |
50 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
|
深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
|
VISHAYQFN-8 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
|
深圳市金芯世纪电子有限公司1年
留言
|
VISHAY/威世 |
100000 |
22+ |
代理渠道/只做原装/可含税 |
|||
|
深圳市品优时代科技有限公司5年
留言
|
Vishay/威世NA |
6500 |
2021/2022+ |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
|||
|
瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
|
VISHAYPowerPAK-1212-8 |
65300 |
20+ |
一级代理/放心采购 |
|||
|
深圳市弘扬芯城科技有限公司1年
留言
|
VISHAY(威世)PowerPAK12128 |
6000 |
23+ |
SIS434DN-T1-GE3采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
SIS434DN-T1-GE3图片
SIS434DN-T1-GE3价格
SIS434DN-T1-GE3价格:¥2.6249品牌:VISHAY
生产厂家品牌为VISHAY的SIS434DN-T1-GE3多少钱,想知道SIS434DN-T1-GE3价格是多少?参考价:¥2.6249。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,SIS434DN-T1-GE3批发价格及采购报价,SIS434DN-T1-GE3销售排行榜及行情走势,SIS434DN-T1-GE3报价。
SIS434DN-T1-GE3中文资料Alldatasheet PDF
更多SIS434DN-T1-GE3功能描述:MOSFET 40V 35A 52W 7.6mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube