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SIS435DNT-T1-GE3

Vishay
THIN POWERPAK-1212-8

VishayVishay Siliconix

威世科技

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SIS435DNT-T1-GE3

Vishay Siliconix
PowerPAK? 1212-8

VishayVishay Siliconix

威世科技

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SIS435DNT-T1-GE3

Vishay
THIN POWERPAK-1212-8

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威世威世(VISHAY)集团

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THIN POWERPAK-1212-8

BARRY

Vishay Barry

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SIS435DNT-T1-GE3

Vishay Siliconix
PowerPAK? 1212-8

VishayVishay Siliconix

威世科技

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详细参数

  • 型号:

    SIS435DNT-T1-GE3

  • 功能描述:

    MOSFET 20V .0054ohm@4.5V 30A P-Ch G-III

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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Vishay Siliconix
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更多SIS435DNT-T1-GE3供应商 更新时间2024-5-1 14:14:00