选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
深圳市跃创芯科技有限公司3年
留言
|
VISHAY/威世PowerPAK-1212-8 |
60000 |
21+ |
绝对原装正品现货,假一罚十 |
|||
|
深圳市硅宇电子有限公司10年
留言
|
Vishay(威世)PowerPAK? 1212-8 |
58776 |
2249+ |
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
|||
|
深圳市恒意法电子有限公司13年
留言
|
VISHAYDFN |
3000 |
21+ |
专营原装正品现货,当天发货,可开发票! |
|||
|
中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
|
Vishay SiliconixPowerPAK? 1212-8 |
30000 |
23+ |
|
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
||
|
深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
|
Vishay(威世)标准封装 |
7448 |
23+ |
原厂直销,大量现货库存,交期快。价格优,支持账期 |
|||
|
深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
|
VISHAY |
1019 |
15+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
|
中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
|
Vishay原装 |
65790 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
|
深圳市宇集芯电子有限公司5年
留言
|
VISHAYPAK1212-8 |
5000 |
22+ |
原装正品 |
|||
|
深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
|
VISHAY/威世PowerPAK-1212-8 |
6000 |
21+ |
只做原装,一定有货,不止网上数量,量多可订货! |
|||
|
深圳市粤骏腾电子科技有限公司13年
留言
|
VISHAYPAK1212-8 |
5000 |
22+ |
十年沉淀唯有原装 |
|||
|
深圳市正纳电子有限公司11年
留言
|
Vishay(威世)NA |
20094 |
23+ |
|
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
||
|
深圳和润天下电子科技有限公司5年
留言
|
VISHAY/威世PowerPAK-1212-8 |
130000 |
23+ |
18万条库存,一站式配齐 |
|||
|
深圳兆威电子有限公司6年
留言
|
VISHAY/威世PowerPAK-1212-8 |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
|||
|
深圳市科翼源电子有限公司1年
留言
|
VISHAYPOWERPAK-1212-8 |
5500 |
23+ |
原厂原装正品 |
|||
|
深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
|
VISHAYPAK1212-8 |
58209 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
||||
|
深圳市跃创芯科技有限公司3年
留言
|
VISHAY/威世PAK1212-8 |
25000 |
22+ |
只有原装绝对原装,支持BOM配单! |
|||
|
深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
|
VISHAY/威世NA/ |
389 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
|
深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
留言
|
VISHAY/威世PowerPAK-1212-8 |
18000 |
22+ |
现货,原厂原装假一罚十! |
|||
|
深圳市朱博士电子科技有限公司14年
留言
|
Vishay(威世)PowerPAK? 1212-8 |
50000 |
2335 |
只做原装优势现货库存,渠道可追溯 |
|||
|
深圳市云美电子科技有限公司1年
留言
|
VISHAY/威世DFN |
34137 |
22+ |
只做原装进口现货 |
SIS892ADN-T1-GE3采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
SIS892ADN-T1-GE3图片
SIS892ADN-T1-GE3价格
SIS892ADN-T1-GE3价格:¥2.6540品牌:VISHAY
生产厂家品牌为VISHAY的SIS892ADN-T1-GE3多少钱,想知道SIS892ADN-T1-GE3价格是多少?参考价:¥2.6540。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,SIS892ADN-T1-GE3批发价格及采购报价,SIS892ADN-T1-GE3销售排行榜及行情走势,SIS892ADN-T1-GE3报价。
SIS892ADN-T1-GE3中文资料Alldatasheet PDF
更多SIS892ADN-T1-GE3功能描述:MOSFET 100V 33mOhm@10V 28A N-Ch MV T-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube