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SIR840DP-T1-GE3数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF
| 厂商型号 |
SIR840DP-T1-GE3 |
| 参数属性 | SIR840DP-T1-GE3 封装/外壳为PowerPAK® SO-8；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个；产品描述：MOSFET N-CH 30V PPAK SO-8 |
| 功能描述 | MOSFET N-CH 30V PPAK SO-8 |
| 封装外壳 | PowerPAK® SO-8 |
| 制造商 | Vishay Vishay Siliconix |
| 中文名称 | 威世科技 威世科技半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-9 23:01:00 |
| 人工找货 | SIR840DP-T1-GE3价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
SIR840DP-T1-GE3规格书详情
简介
SIR840DP-T1-GE3属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由制造生产的SIR840DP-T1-GE3晶体管 - FET，MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。
技术参数
更多- 产品编号：
SIR840DP-T1-GE3
- 制造商：
Vishay Siliconix
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- FET 类型：
N 通道
- 技术：
MOSFET（金属氧化物）
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 供应商器件封装：
PowerPAK® SO-8
- 封装/外壳：
PowerPAK® SO-8
- 描述：
MOSFET N-CH 30V PPAK SO-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
24+ |
NA/ |
510 |
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询价 | ||
VISHAY |
2016+ |
QFN8 |
99000 |
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询价 | ||
VISHAY/威世 |
22+ |
SO-8 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
25+ |
QFN-8 |
54648 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
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SII/精工 |
25+ |
DFN5x6 |
20300 |
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询价 | ||
VISHAY/威世 |
23+ |
QFN8 |
8160 |
原厂原装 |
询价 | ||
VISHAY(威世) |
2024+ |
PowerPAK SO-8 |
500000 |
诚信服务,绝对原装原盘 |
询价 | ||
VISHAY |
12+ |
QFN8 |
2800 |
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VISHAY/威世 |
21+ |
PowerPAK-SO-8 |
30000 |
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询价 | ||
Vishay(威世) |
23+ |
NA |
20094 |
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询价 |
