SiR642DP中文资料N-Channel 40 V (D-S) MOSFET数据手册Vishay规格书
技术参数
- 型号：
SIR642DP
- 功能描述：
MOSFET 40V 60A 83W 2.4mohms @ 10V
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
22+ |
QFN-8 |
25000 |
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询价 | ||
VISHAY |
20+ |
DFN-8 |
3675 |
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VISHAY |
20+ |
DFN56 |
32550 |
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VISHAY |
2016+ |
QFN |
861 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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VISHAY/威世 |
2022+ |
DFN5X6 |
24350 |
原厂代理 终端免费提供样品 |
询价 | ||
NK/南科功率 |
2025+ |
DFN5060 |
986966 |
国产 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
24+ |
DFN5X6 |
502536 |
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VISHAY/威世 |
24+ |
DFN5X6 |
60000 |
全新原装现货 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
24+ |
QFN |
27950 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
询价 | ||
VISHAY |
23+ |
QFN |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 |
