SiR664DP中文资料N-Channel 60 V (D-S) MOSFET数据手册Vishay规格书
技术参数
- 型号：
SIR664DP
- 功能描述：
MOSFET 60V 6mOhm@10V 60A N-Ch G-IV
- RoHS：
否
- 制造商：
Vishay Semiconductors
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
60 V
- 闸/源击穿电压：
+/- 20 V
- 漏极连续电流：
60 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
6 mOhms
- 配置：
Single
- 最大工作温度：
+ 150 C
- 安装风格：
SMD/SMT
- 封装/箱体：
PowerPAK-SO-8
- 封装：
Reel
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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VISHAY |
21+ |
QFN |
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VISHAY/威世 |
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VISHAY/威世 |
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QFN |
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