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SIR424DP	文件：498.42 Kbytes Page：13 Pages	N-Channel 20-V (D-S) MOSFET 文件：498.42 Kbytes 页数：13 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SIR424DP	文件：330.04 Kbytes Page：13 Pages	N-Channel 20-V (D-S) MOSFET 文件：330.04 Kbytes 页数：13 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SIR424DP_V01	文件：330.96 Kbytes Page：13 Pages	N-Channel 20-V (D-S) MOSFET 文件：330.96 Kbytes 页数：13 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SIR424DP-T1-GE3	文件：1.7841 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel 30 V (D-S) MOSFET 文件：1.7841 Mbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
SIR424DP-T1-GE3	文件：498.42 Kbytes Page：13 Pages	N-Channel 20-V (D-S) MOSFET 文件：498.42 Kbytes 页数：13 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SIR426DP	文件：497.23 Kbytes Page：13 Pages	N-Channel 40-V (D-S) MOSFET 文件：497.23 Kbytes 页数：13 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SIR426DP	文件：313.87 Kbytes Page：13 Pages	N-Channel 40-V (D-S) MOSFET 文件：313.87 Kbytes 页数：13 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SIR426DP_V01	文件：314.79 Kbytes Page：13 Pages	N-Channel 40-V (D-S) MOSFET 文件：314.79 Kbytes 页数：13 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SIR426DP-T1-GE3	文件：497.23 Kbytes Page：13 Pages	N-Channel 40-V (D-S) MOSFET 文件：497.23 Kbytes 页数：13 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SIR428DP	文件：128.08 Kbytes Page：7 Pages	丝印：R428；Package：PowerPAKSO-8；N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：128.08 Kbytes 页数：7 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY

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技术参数

Package：
PowerPAK SO-8
Ch：
N
VDS (V)：
100
VGS (V)：
20
RDS(on)@4.5V (Ω)：
0.0077
RDS(on)@10V (Ω)：
0.0061
Qg @4.5V (nC)：
33
Qg @10V (nC)：
73
Qgs (nC)：
13.8
Qgd (nC)：
6.5
ID Max. (A)：
81
PD Max. (W)：
100
VGS(th) Min. (V)：
1
Rg Typ. (Ω)：
0.9

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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