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SIR412DP

N-Channel 25-V (D-S) MOSFET

文件:496.94 Kbytes 页数:13 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

SIR412DP-T1-GE3

N-Channel 25-V (D-S) MOSFET

文件:496.94 Kbytes 页数:13 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

SIR414DP

N-Channel 40-V (D-S) MOSFET

文件:142.95 Kbytes 页数:7 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

SIR414DP_V01

N-Channel 40 V (D-S) MOSFET

文件:366.75 Kbytes 页数:13 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

SIR414DP-T1-GE3

N-Channel 40-V (D-S) MOSFET

文件:192.23 Kbytes 页数:9 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

SIR414DP-T1-GE3

N-Channel 40 V (D-S) MOSFET

文件:366.75 Kbytes 页数:13 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

SIR416DP

N-Channel 40-V (D-S) MOSFET

文件:479.93 Kbytes 页数:13 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

SIR416DP

N-Channel 40-V (D-S) MOSFET

文件:311.55 Kbytes 页数:13 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

SIR416DP_V01

N-Channel 40 V (D-S) MOSFET

文件:362.34 Kbytes 页数:13 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

SIR416DP-T1-GE3

N-Channel 40 V (D-S) MOSFET

文件:362.34 Kbytes 页数:13 Pages

VISHAYVishay Siliconix

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技术参数

  • Package:

    PowerPAK SO-8

  • Ch:

    N

  • VDS (V):

    100

  • VGS (V):

    20

  • RDS(on)@4.5V (Ω):

    0.0077

  • RDS(on)@10V (Ω):

    0.0061

  • Qg @4.5V (nC):

    33

  • Qg @10V (nC):

    73

  • Qgs (nC):

    13.8

  • Qgd (nC):

    6.5

  • ID Max. (A):

    81

  • PD Max. (W):

    100

  • VGS(th) Min. (V):

    1

  • Rg Typ. (Ω):

    0.9

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多SIR供应商 更新时间2026-2-2 15:30:00