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SIR412DP-T1-GE3

N-Channel 25-V (D-S) MOSFET

文件:496.94 Kbytes 页数:13 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

SIR416DP-T1-GE3

Vishay
PowerPAK-SO-8

VishayVishay Siliconix

威世科技

上传:深圳市金嘉锐电子有限公司

SiR422DP-T1-GE3

VISHAY
SO-8

VishayVishay Siliconix

威世科技

上传:深圳市纽联电子有限公司

SIR422DP-T1-GE3

VISHAY/威世
PAKSO-8

VISHAY/威世

SIR426DP-T1-GE3

NK/南科功率
DFN5X6

NK/南科功率

详细参数

  • 型号:

    SIR412DP-T1-GE3

  • 功能描述:

    MOSFET 25V 20A N-CH MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多SIR412DP-T1-GE3供应商 更新时间2025-10-8 14:14:00