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SIR424DP-T1-GE3

N-Channel 20-V (D-S) MOSFET

文件:498.42 Kbytes 页数:13 Pages

VishayVishay Siliconix

威世

SIR424DP-T1-GE3

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

文件:1.7841 Mbytes 页数:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

SIR426DP-T1-GE3

NK/南科功率
DFN5X6

NK/南科功率

SIR466DP-T1-GE3

VISHAY/威世
SOIC-8

VISHAY/威世

SIR610DP-T1-RE3

VISHAY
SOP

VishayVishay Siliconix

威世

上传:深圳市赛特兴科技有限公司

详细参数

  • 型号:

    SIR424DP-T1-GE3

  • 功能描述:

    MOSFET 20V 5.5mohm @ 10V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多SIR424DP-T1-GE3供应商 更新时间2025-10-9 16:45:00