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SIHP22N60S	文件：328.84 Kbytes Page：2 Pages	iscN-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SIHP22N60S-E3	文件：216.68 Kbytes Page：8 Pages	S Series Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
22N60	文件：241.12 Kbytes Page：6 Pages	HEXFETPOWERMOSFET DESCRIPTION AstheSMPSMOSFET,theUTC22N60usesUTC’sadvancedtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithlowgatevoltages.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications. FEATURES RDS(ON)=0.35Ω UltraLowGateCharge	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
22N60	文件：211.84 Kbytes Page：6 Pages	22A,600VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
ET-22N60	文件：986.23 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFET	ESTEKEstek Electronics Co. Ltd 伊泰克电子北京伊泰克电子有限公司	ESTEK
FCA22N60N	文件：532.87 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelMOSFET600V,22A,0.165W	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FCA22N60N	文件：347.13 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=22A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=165mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FCH22N60N	文件：340.84 Kbytes Page：8 Pages	UltraLowGateCharge(Typ.Qg=45nC),LowEffectiveOutputCapacitance(Typ.Coss.eff=196.4pF)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FCP22N60N	文件：763.08 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelMOSFET600V,22A,0.165W Description TheSupreMOS®MOSFETisFairchildSemiconductor’snextgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)technologyemployingadeeptrenchfillingprocessthatdifferentiatesitfromtheconventionalSJMOSFETs.ThisadvancedtechnologyandpreciseprocesscontrolprovideslowestRspon	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FCP22N60N	文件：338.67 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FCPF22N60NT	文件：763.08 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelMOSFET600V,22A,0.165W Description TheSupreMOS®MOSFETisFairchildSemiconductor’snextgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)technologyemployingadeeptrenchfillingprocessthatdifferentiatesitfromtheconventionalSJMOSFETs.ThisadvancedtechnologyandpreciseprocesscontrolprovideslowestRspon	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
ICE22N60	文件：604.35 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	ICEMOSIcemos Technology Icemos 技术	ICEMOS
ICE22N60	文件：961.58 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	MICROSS MICROSS	MICROSS
ICE22N60W	文件：605.59 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	ICEMOSIcemos Technology Icemos 技术	ICEMOS
ICE22N60W	文件：959.93 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	MICROSS MICROSS	MICROSS
IRF22N60	文件：383.33 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼爾半導體尼爾半導體股份有限公司	NELLSEMI
IRFP22N60K	文件：228.65 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET FEATURES •LowgatechargeQgresultsinsimpledrive requirement •Improvedgate,avalancheanddynamicdV/dt ruggedness •Fullycharacterizedcapacitanceandavalanchevoltage andcurrent •EnhancedbodydiodedV/dtcapability •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance ple	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFP22N60K	文件：445.29 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •SwitchingVoltageRegulators •FEATURES •Lowdrain-sourceon-resistance: RDS(ON)=0.28Ω(MAX) •Enhancementmode: Vth=3.0to5.0V(VDS=10V,ID=0.25mA) •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFP22N60K	文件：150.15 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent •EnhancedBodyDiodedV/dtCapability •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC BENEFITS	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFP22N60K	文件：172.39 Kbytes Page：8 Pages	SMPSMOSFET Benefits •LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent •EnhancedBodyDiodedv/dtCapability Applications •HardSwitchingPrimaryorPFSSwitch •SwitchM	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF

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详细参数

型号：
SIHP22N60S
功能描述：
MOSFET 600V N-Channel Superjunction TO-220
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	SIHP22N60S	VISHAY	23+	TO-TO-220	33500	全新原装真实库存含13点增值税票!	询价
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更多SIHP22N60S供应商更新时间2024-6-21 15:30:00

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