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SiHP18N50C规格书详情
特性 Features
·Low Figure-of-Merit Ron x Qg
·100 % Avalanche Tested
·High Peak Current Capability
技术参数
- 型号：
SIHP18N50C
- 功能描述：
MOSFET 560V 18A 223W 270mohm @ 10V
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
24+ |
TO-220 |
3000 |
全新原装环保现货 |
询价 | ||
Vishay(威世) |
24+ |
标准封装 |
10048 |
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VISHAY |
24+ |
TO-220铁头 |
18000 |
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Vishay(威世) |
24+ |
TO220(TO2203) |
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VISHAY |
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TO-220 |
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VISHAY |
23+ |
TO-220铁头 |
50000 |
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Vishay(威世) |
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VISHAY |
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TO-220 |
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