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SIHP18N50C

Power MOSFET

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威世威世科技公司

SIHP18N50C

iscN-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

SIHP18N50C_V01

Power MOSFET

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SIHP18N50C-E3

Power MOSFET

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SIHP18N50C-E3

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Power MOSFET

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SiHP18N50C

Power MOSFET

·Low Figure-of-Merit Ron x Qg\n·100 % Avalanche Tested\n·High Peak Current Capability;

Vishay

威世

详细参数

  • 型号:

    SIHP18N50C

  • 功能描述:

    MOSFET 560V 18A 223W 270mohm @ 10V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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标准封装
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TO-220铁头
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TO-220铁头
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假一赔百原装正品价格优势实单可谈
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VISHAY/威世
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TO-220
60000
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Vishay(威世)
24+
N/A
11800
可配单提供样品
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更多SIHP18N50C供应商 更新时间2025-12-11 23:01:00