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SIHP14N50D	文件：168.28 Kbytes Page：8 Pages	D Series Power MOSFETs FEATURES • Optimal Design - Low Area specific On-Resistance - Low Input Capacitance (Ciss) - Reduced Capacitive Switching Losses - High Body Diode Ruggedness - Avalanche Energy Rated (UIS) • Optimal Efficiency and Operation - Low Cost - Simple Gate Drive Circuitry - Low Figure-Of-Merit ( 文件：168.28 Kbytes 页数：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SIHP14N50D	文件：165.62 Kbytes Page：9 Pages	D Series Power MOSFET 文件：165.62 Kbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SIHP14N50D	文件：328.85 Kbytes Page：2 Pages	iscN-Channel MOSFET Transistor 文件：328.85 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
SIHP14N50D_V01	文件：168.28 Kbytes Page：8 Pages	D Series Power MOSFETs FEATURES • Optimal Design - Low Area specific On-Resistance - Low Input Capacitance (Ciss) - Reduced Capacitive Switching Losses - High Body Diode Ruggedness - Avalanche Energy Rated (UIS) • Optimal Efficiency and Operation - Low Cost - Simple Gate Drive Circuitry - Low Figure-Of-Merit ( 文件：168.28 Kbytes 页数：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SIHP14N50D-E3	文件：165.62 Kbytes Page：9 Pages	D Series Power MOSFET 文件：165.62 Kbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SiHP14N50D	文件：300 bytes Page：1 Pages	D Series Power MOSFET ·Optimal Design\n·Low Area specific On-Resistance\n·Low Input Capacitance (Ciss);	Vishay 威世	Vishay

详细参数

型号：
SIHP14N50D
功能描述：
MOSFET 500V 400mOhm@10V 14A N-Ch D-SRS
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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