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SIHP10N40D	文件：302.82 Kbytes Page：8 Pages	Low area specific on-resistance FEATURES • Optimal design - Low area specific on-resistance - Low input capacitance (Ciss) - Reduced capacitive switching losses - High body diode ruggedness - Avalanche energy rated (UIS) • Optimal efficiency and operation - Low cost - Simple gate drive circuitry 文件：302.82 Kbytes 页数：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SIHP10N40D	文件：328.85 Kbytes Page：2 Pages	iscN-Channel MOSFET Transistor 文件：328.85 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
SIHP10N40D_V01	文件：292.47 Kbytes Page：8 Pages	D Series Power MOSFET 文件：292.47 Kbytes 页数：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SIHP10N40D-E3	文件：292.47 Kbytes Page：8 Pages	D Series Power MOSFET 文件：292.47 Kbytes 页数：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SIHP10N40D-GE3	文件：292.47 Kbytes Page：8 Pages	D Series Power MOSFET 文件：292.47 Kbytes 页数：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SiHP10N40D	文件：300 bytes Page：1 Pages	D Series Power MOSFET ·Optimal design\n·Low area specific on-resistance\n·Low input capacitance (Ciss);	Vishay 威世	Vishay

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