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SiHG460B-GE3

D Series Power MOSFET

FEATURES • Optimal Design    - Low Area Specific On-Resistance    - Low Input Capacitance (Ciss)    - Reduced Capacitive Switching Losses    - High Body Diode Ruggedness    - Avalanche Energy Rated (UIS) • Optimal Efficiency and Operation    - Low Cost    - Simple Gate Drive Circuitry   

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SIHG460B-GE3

D Series Power MOSFET

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TO-22

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上传:深圳市中广亿科技发展有限公司

SII1161CTU

TQFP100

SILICON

SII1161CTU

TQFP100

SILICONI

详细参数

  • 型号:

    SIHG460B-GE3

  • 功能描述:

    MOSFET 500V 250mOhm@10V 20A N-Ch D-SRS

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多SIHG460B-GE3供应商 更新时间2026-1-31 14:16:00