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SiHG460B-GE3中文资料威世科技数据手册PDF规格书

SiHG460B-GE3
厂商型号

SiHG460B-GE3

功能描述

D Series Power MOSFET

文件大小

188.95 Kbytes

页面数量

9

生产厂商 Vishay Siliconix
企业简称

VISHAY威世科技

中文名称

威世科技半导体官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-28 20:00:00

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SiHG460B-GE3规格书详情

FEATURES

• Optimal Design

   - Low Area Specific On-Resistance

   - Low Input Capacitance (Ciss)

   - Reduced Capacitive Switching Losses

   - High Body Diode Ruggedness

   - Avalanche Energy Rated (UIS)

• Optimal Efficiency and Operation

   - Low Cost

   - Simple Gate Drive Circuitry

   - Low Figure-of-Merit (FOM): Ron x Qg

   - Fast Switching

• Material categorization: For definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912

Note

* Lead (Pb)-containing terminations are not RoHS-compliant. Exemptions may apply.

APPLICATIONS

• Consumer Electronics

   - Displays (LCD or Plasma TV)

• Server and Telecom Power Supplies

   - SMPS

• Industrial

   - Welding

   - Induction Heating

   - Motor Drives

• Battery Chargers

• SMPS

   - Power Factor Correction (PFC)

产品属性

  • 型号:

    SIHG460B-GE3

  • 功能描述:

    MOSFET 500V 250mOhm@10V 20A N-Ch D-SRS

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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