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SIHG33N60E	文件：198.24 Kbytes Page：8 Pages	Reduced switching and conduction losses	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SIHG33N60E	文件：445.44 Kbytes Page：2 Pages	iscN-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SIHG33N60EF	文件：215.32 Kbytes Page：10 Pages	EF Series Power MOSFET with Fast Body Diode FEATURES •FastbodydiodeMOSFETusingEseries technology •Reducedtrr,Qrr,andIRRM •Lowfigure-of-merit(FOM):RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •Reducedswitchingandconductionlosses •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) •Materialcategorization:fo	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SIHG33N60EF_V01	文件：215.32 Kbytes Page：10 Pages	EF Series Power MOSFET with Fast Body Diode FEATURES •FastbodydiodeMOSFETusingEseries technology •Reducedtrr,Qrr,andIRRM •Lowfigure-of-merit(FOM):RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •Reducedswitchingandconductionlosses •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) •Materialcategorization:fo	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SIHG33N60E_V01	文件：221.3 Kbytes Page：10 Pages	E Series Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SIHG33N60E-E3	文件：221.3 Kbytes Page：10 Pages	E Series Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SIHG33N60EF	文件：192.26 Kbytes Page：8 Pages	EF Series Power MOSFET with Fast Body Diode	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SIHG33N60EF	文件：445.59 Kbytes Page：2 Pages	iscN-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SIHG33N60E-GE3	文件：221.3 Kbytes Page：10 Pages	E Series Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
DAM33N60H	文件：255.62 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	DACO DACO	DACO
SIHB33N60E	文件：215.43 Kbytes Page：9 Pages	ESeriesPowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SIHB33N60EF	文件：216.62 Kbytes Page：9 Pages	EFSeriesPowerMOSFETwithFastBodyDiode	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SIHP33N60E	文件：184.2 Kbytes Page：8 Pages	ESeriesPowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SIHP33N60E	文件：396.37 Kbytes Page：9 Pages	PackagingInformation	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SIHP33N60EF	文件：294.7 Kbytes Page：8 Pages	EFSeriesPowerMOSFETwithFastBodyDiode	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SIHW33N60E	文件：445.9 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SIHW33N60E	文件：329.63 Kbytes Page：8 Pages	Reducedswitchingandconductionlosses	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
STW33N60	文件：470.72 Kbytes Page：3 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

详细参数

型号：
SIHG33N60E
功能描述：
MOSFET 600V 99mOhm@10V 33A N-Ch E-SRS
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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