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SIHG33N60E	文件：198.24 Kbytes Page：8 Pages	Reduced switching and conduction losses 文件：198.24 Kbytes 页数：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SIHG33N60E	文件：445.44 Kbytes Page：2 Pages	iscN-Channel MOSFET Transistor 文件：445.44 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
SIHG33N60EF	文件：215.32 Kbytes Page：10 Pages	EF Series Power MOSFET with Fast Body Diode FEATURES • Fast body diode MOSFET using E series technology • Reduced trr, Qrr, and IRRM • Low figure-of-merit (FOM): Ron x Qg • Low input capacitance (Ciss) • Reduced switching and conduction losses • Ultra low gate charge (Qg) • Avalanche energy rated (UIS) • Material categorization: fo 文件：215.32 Kbytes 页数：10 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SIHG33N60EF_V01	文件：215.32 Kbytes Page：10 Pages	EF Series Power MOSFET with Fast Body Diode FEATURES • Fast body diode MOSFET using E series technology • Reduced trr, Qrr, and IRRM • Low figure-of-merit (FOM): Ron x Qg • Low input capacitance (Ciss) • Reduced switching and conduction losses • Ultra low gate charge (Qg) • Avalanche energy rated (UIS) • Material categorization: fo 文件：215.32 Kbytes 页数：10 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SIHG33N60E_V01	文件：221.3 Kbytes Page：10 Pages	E Series Power MOSFET 文件：221.3 Kbytes 页数：10 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SIHG33N60E-E3	文件：221.3 Kbytes Page：10 Pages	E Series Power MOSFET 文件：221.3 Kbytes 页数：10 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SIHG33N60EF	文件：192.26 Kbytes Page：8 Pages	EF Series Power MOSFET with Fast Body Diode 文件：192.26 Kbytes 页数：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SIHG33N60EF	文件：445.59 Kbytes Page：2 Pages	iscN-Channel MOSFET Transistor 文件：445.59 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
SIHG33N60E-GE3	文件：221.3 Kbytes Page：10 Pages	E Series Power MOSFET 文件：221.3 Kbytes 页数：10 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SiHG33N60E	文件：300 bytes Page：1 Pages	E Series Power MOSFET ·Low figure-of-merit (FOM): Ron x Qg\n·Low input capacitance (Ciss)\n·Reduced switching and conduction losses;	Vishay 威世	Vishay

详细参数

型号：
SIHG33N60E
功能描述：
MOSFET 600V 99mOhm@10V 33A N-Ch E-SRS
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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