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SIHG33N60E中文资料PDF规格书
产品属性
- 型号:
SIHG33N60E
- 功能描述:
MOSFET 600V 99mOhm@10V 33A N-Ch E-SRS
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Vishay(威世) |
23+ |
标准封装 |
22490 |
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询价 | ||
VISHAY(威世) |
23+ |
TO247 |
7350 |
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询价 | ||
VISHAY/威世 |
2022 |
TO-247 |
80000 |
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VISHAY |
2018+ |
TO247 |
6528 |
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VISHAY/威世 |
23+ |
TO-247AC |
10000 |
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VISHYA |
1746+ |
TO247 |
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VISHAY-威世 |
24+25+/26+27+ |
TO-247-3 |
78800 |
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Vishay(威世) |
23+ |
N/A |
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询价 | ||
VISHAY/威世 |
23+ |
TO247 |
10880 |
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询价 | ||
Vishay(威世) |
22+ |
NA |
6500 |
原厂原装现货 |
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