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SIHFB20N50K_V01

Power MOSFET

FEATURES •LowgatechargeQgresultsinsimpledrive requirement •Improvedgate,avalanche,anddynamicdV/dt ruggedness •Fullycharacterizedcapacitanceandavalanchevoltage andcurrent •LowRDS(on) •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/d

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威世科技威世科技半导体

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更多SIHFB20N50K_V01供应商 更新时间2025-7-30 10:56:00