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SIHFB20N50K_V01	文件：204.02 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES • Low gate charge Qg results in simple drive requirement • Improved gate, avalanche, and dynamic dV/dt ruggedness • Fully characterized capacitance and avalanche voltage and current • Low RDS(on) • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/d 文件：204.02 Kbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
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更多IRFB20N50K_V01供应商更新时间2025-10-11 13:01:00