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SiHB33N60E数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF
SiHB33N60E规格书详情
特性 Features
·Low figure-of-merit (FOM): Ron x Qg
·Low input capacitance (Ciss)
·Reduced switching and conduction losses
技术参数
- 产品编号:
SIHB33N60E-GE3
- 制造商:
Infineon Technologies
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单个
- 包装:
卷带(TR)
- 描述:
MOSFET N-CH 600V D2PAK
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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VISHAY/威世 |
22+ |
TO-263 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
24+ |
NA/ |
3743 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
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Vishay |
1822+ |
TO263 |
9852 |
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VISHAY/威世 |
21+ |
TO-263-3 |
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VISHAY |
17+ |
TO-263 |
463 |
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Vishay(威世) |
23+ |
NA |
20094 |
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VISHAY/威世 |
18+ |
TO-263 |
1800 |
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Vishay(威世) |
23+ |
N/A |
11800 |
询价 | |||
VISHAY/威世 |
21+ |
TO-263-3 |
30000 |
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询价 | ||
VISHAY/威世 |
23+ |
NA |
25630 |
原装正品 |
询价 |