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SiHB33N60E数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF

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厂商型号

SiHB33N60E

参数属性

SiHB33N60E 包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:MOSFET N-CH 600V D2PAK

功能描述

E Series Power MOSFET

制造商

Vishay Vishay Siliconix

中文名称

威世科技 威世科技半导体

数据手册

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更新时间

2025-8-7 20:00:00

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SiHB33N60E规格书详情

特性 Features

·Low figure-of-merit (FOM): Ron x Qg
·Low input capacitance (Ciss)
·Reduced switching and conduction losses

技术参数

  • 产品编号:

    SIHB33N60E-GE3

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单个

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 描述:

    MOSFET N-CH 600V D2PAK

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