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SiHB30N60E规格书详情
特性 Features
·Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
·Low input capacitance (Ciss)
·Reduced switching and conduction losses
技术参数
- 型号：
SIHB30N60E
- 制造商：
VISHAY
- 制造商全称：
Vishay Siliconix
- 功能描述：
E Series Power MOSFET
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
2024+ |
N/A |
70000 |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
22+ |
NA |
163164 |
原装正品现货,可开13个点税 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
2022+ |
TO-263 |
30000 |
进口原装现货供应,原装 假一罚十 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
23+ |
NA |
11200 |
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询价 | ||
VISHAY |
TO263 |
53650 |
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询价 | |||
VISHAY/威世 |
20+ |
TO-263 |
7500 |
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JINGDAO/晶导微 |
23+ |
GBJ |
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Vishay(威世) |
23+ |
NA |
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VISHAY/威世 |
2023+ |
TO-263 |
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VISHAY |
23+ |
SMD |
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