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SIHB25N50E	文件：208.67 Kbytes Page：9 Pages	E Series Power MOSFET FEATURES •Lowfigure-of-merit(FOM):RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •Reducedswitchingandconductionlosses •Lowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATONS •Hards	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
25N50A	文件：978.81 Kbytes Page：6 Pages	25A500VN-channelenhancedfieldeffecttransistor	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
FMH25N50ES	文件：495.6 Kbytes Page：2 Pages	ThisnewpowerMOSFETrealizedthelowswitchinglossandlowswitchingnoise	FujiFUJI CORPORATION 株式会社ＦＵＪＩ	Fuji
FSW25N50C	文件：1.81261 Mbytes Page：7 Pages	THINKISEMI20A,500VN-CHANNELPLANARSTRIPEPOWERMOSFETs	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
HM25N50	文件：648.54 Kbytes Page：9 Pages	Powerswitchcircuitofadaptorandcharger.	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
ISC25N50F	文件：294.22 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTV25N50E	文件：280.19 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET25AMPERES500VOLTSRDS(on)=0.200OHM TMOSE−FETPowerFieldEffectTransistorD3PAKforSurfaceMount N−ChannelEnhancement−ModeSiliconGate TheD3PAKpackagehasthecapabilityofhousingthelargestchipsizeofanystandard,plastic,surfacemountpowersemiconductor.Thisallowsittobeusedinapplicationsthatrequiresurfa	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MTV25N50E	文件：297.73 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=25A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.2Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SIHA25N50E	文件：173.63 Kbytes Page：8 Pages	ESeriesPowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SIHA25N50E	文件：318.98 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SIHG25N50E	文件：444.2 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SIHG25N50E	文件：185.25 Kbytes Page：8 Pages	ESeriesPowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SIHP25N50E	文件：162.76 Kbytes Page：8 Pages	ESeriesPowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SIHP25N50E	文件：328.27 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SIHP25N50E	文件：286.62 Kbytes Page：8 Pages	ESeriesPowerMOSFET FEATURES •Lowfigure-of-merit(FOM):RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •Reducedswitchingandconductionlosses •Lowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATONS •Hard	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay

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