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SIHD11N80AE	文件：199.15 Kbytes Page：9 Pages	E Series Power MOSFET FEATURES • Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg • Low effective capacitance (Ciss) • Reduced switching and conduction losses • Ultra low gate charge (Qg) • Avalanche energy rated (UIS) • Integrated Zener diode ESD protection • Material categorization: for definitions of compliance please see 文件：199.15 Kbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SIHD11N80AE-GE3	文件：199.15 Kbytes Page：9 Pages	E Series Power MOSFET FEATURES • Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg • Low effective capacitance (Ciss) • Reduced switching and conduction losses • Ultra low gate charge (Qg) • Avalanche energy rated (UIS) • Integrated Zener diode ESD protection • Material categorization: for definitions of compliance please see 文件：199.15 Kbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SIHD11N80AE-T1-GE3	文件：199.15 Kbytes Page：9 Pages	E Series Power MOSFET FEATURES • Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg • Low effective capacitance (Ciss) • Reduced switching and conduction losses • Ultra low gate charge (Qg) • Avalanche energy rated (UIS) • Integrated Zener diode ESD protection • Material categorization: for definitions of compliance please see 文件：199.15 Kbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SIHD11N80AE-T4-GE3	文件：199.15 Kbytes Page：9 Pages	E Series Power MOSFET FEATURES • Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg • Low effective capacitance (Ciss) • Reduced switching and conduction losses • Ultra low gate charge (Qg) • Avalanche energy rated (UIS) • Integrated Zener diode ESD protection • Material categorization: for definitions of compliance please see 文件：199.15 Kbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SiHD11N80AE	文件：300 bytes Page：1 Pages	E Series Power MOSFET	Vishay 威世	Vishay

技术参数

Package：
DPAK (TO-252)
Ch：
N
VDS (V)：
800
VGS (V)：
30
RDS(on)@10V (Ω)：
0.45
Qg @10V (nC)：
28
Qgs (nC)：
6
Qgd (nC)：
12
ID Max. (A)：
8
PD Max. (W)：
78
VGS(th) Min. (V)：
2
Rg Typ. (Ω)：
1.5

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更多SIHD11N80AE供应商更新时间2026-1-29 12:00:00

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