SIHB6N80E资料datasheet下载供应商报价-114ic电子网

首页 >SIHB6N80E>规格书列表

零件编号	下载&订购	功能描述	制造商&上传企业	LOGO
SIHB6N80E	文件：137.69 Kbytes Page：7 Pages	E Series Power MOSFET FEATURES •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •Reducedswitchingandconductionlosses •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SIHB6N80E	文件：322.94 Kbytes Page：2 Pages	iscN-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
6N80	文件：199.62 Kbytes Page：6 Pages	6A,800VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
6N80	文件：61.06 Kbytes Page：2 Pages	SimpleDriveRequirements	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
6N80	文件：87.34 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementMode StandardPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode Features ●Internationalstandardpackages ●LowRDS(on)HDMOSTMprocess ●Ruggedpolysilicongatecellstructure ●Lowpackageinductance(	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
6N80	文件：398.49 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼爾半導體尼爾半導體股份有限公司	NELLSEMI
6N80	文件：319.53 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
6N80	文件：181.17 Kbytes Page：6 Pages	6.0Amps,800VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheUTC6N80isaN-channelmodepowerMOSFETusingUTC’sadvancedtechnologytoprovidecustomerswithplanarstripeandDMOStechnology.Thistechnologyspecializedinallowingaminimumon-stateresistanceandsuperiorswitchingperformance.Italsocanwithstandhighenergypulse	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
6N80C	文件：855.56 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelQFETMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
F6N80	文件：1.01814 Mbytes Page：10 Pages	N-ChannelQFET짰MOSFET800V,5.5A,2.5廓 Description ThisN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhighav	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
F6N80	文件：1.30391 Mbytes Page：7 Pages	800VN-ChannelMOSFET	Good-Ark Good-Ark	Good-Ark
F6N80	文件：263.38 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET(220V,2.0OHM,4.5A)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
F6N80	文件：484.49 Kbytes Page：8 Pages	AdvancedMOSFETprocesstechnology	SILIKRONSilikron Semiconductor Co.,LTD. Silikron Semiconductor Co.,LTD.	SILIKRON
F6N80	文件：661.2 Kbytes Page：8 Pages	800VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
F6N80	文件：831.19 Kbytes Page：15 Pages	Ultralowgatecharge Description TheseveryhighvoltageN-channelPowerMOSFETsaredesignedusingMDmesh™K5technologybasedonaninnovativeproprietaryverticalstructure.Theresultisadramaticreductioninon-resistanceandultra-lowgatechargeforapplicationsrequiringsuperiorpowerdensityandhigheffi	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
F6N80	文件：537.7 Kbytes Page：8 Pages	AdvancedMOSFETprocesstechnology	SILIKRONSilikron Semiconductor Co.,LTD. Silikron Semiconductor Co.,LTD.	SILIKRON
F6N80	文件：855.56 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelQFETMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQA6N80	文件：369.65 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=6.3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.95Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FQA6N80	文件：677.25 Kbytes Page：8 Pages	800VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQAF6N80	文件：661.2 Kbytes Page：8 Pages	800VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

12 3 4 >>>

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
无锡固电半导体股份有限公司	SiHB6N80E	isc	2024	D2PAK/TO-263	3000	国产品牌isc,可替代原装	询价
深圳市惊羽科技有限公司	SIHB6N80E-GE3	VISHAY-威世	24+25+/26+27+	TO-263-3	6328	一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库	询价
深圳宝隆芯业科技有限公司	SIHB6N80E-GE3	Vishay Siliconix	23+	SMD	67000	原装正品实单可谈库存现货	询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	SiHB8N50D	Vishay	23+	D2PAK(TO-	33500	全新原装真实库存含13点增值税票!	询价
深圳市国宇半导体科技有限公司	SiHB8N50D	VISHAY/威世	23+	D2PAK(TO-263)	10000	公司只做原装正品	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	SIHB8N50D	VISHAY/威世	D2PAK(TO-263)	22+	6000	十年配单,只做原装	询价
深圳市金芯世纪电子有限公司	SiHB8N50D	VISHAY/威世	22+	TO-263	100000	代理渠道/只做原装/可含税	询价
深圳市创新迹电子有限公司	SIHB8N50D	VISHAY/威世	2022+	TO-263	30000	进口原装现货供应,原装假一罚十	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	SiHB8N50D	VISHAY/威世	20+	TO-263	7500	现货很近!原厂很远!只做原装	询价
深圳市科雨电子有限公司	SIHB8N50D-GE3	VISHAY	1809+	TO-263	3675	就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!	询价

更多SIHB6N80E供应商更新时间2024-6-4 14:28:00

相关规格书

相关库存