IGBT裸片(400V-1200V)

英飞凌 IGBT 2 系列产品采用非击穿 IGBT 技术，开关损耗低，稳健性高。 • 正温度系数\n• 容易并联\n• 高稳健性\n\n优势:;

Infineon

英飞凌

IGBT Chip in NPT-technology

文件：69.59 Kbytes 页数：4 Pages

Infineon

英飞凌

IGBT Chip in NPT-technology 600V NPT technology positive temperature coefficient

文件：79.62 Kbytes 页数：4 Pages

Infineon

英飞凌

600V,12A N-Channel MOSFET

文件：494.9 Kbytes 页数：7 Pages

AOSMD

万国半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

DESCRIPTION ·Drain Current : ID= 10A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 950V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.85Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·motor drive,

文件：333.05 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

RoHS and Halogen Free Compliant

文件：494.91 Kbytes 页数：7 Pages

AOSMD

万国半导体