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SIGC186T170R3

IGBT3 Chip

文件:70.28 Kbytes 页数:4 Pages

Infineon

英飞凌

SIGC186T170R3

IGBT3 Chip

Infineon

英飞凌

SIGC186T170R3E

positive temperature coefficient

文件:180.39 Kbytes 页数:5 Pages

Infineon

英飞凌

SIGC186T170R3E

IGBT 裸片

我们的 TRENCHSTOP™ IGBT 结合了独特的沟槽和场截止技术,是行业的标杆 • 低关断损耗\n• 短尾电流\n• 正温度系数\n• 易于并联;

Infineon

英飞凌

技术参数

  • VCE(sat)max:

    2.4 V

  • VCEmax:

    1700 V

  • VDSmax:

    1700 V

  • VGE(th):

    5.2 V to 6.4 V

  • Operating Temperature:

    -55 °C to 150 °C

  • Technology:

    IGBT3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
INFINEON/英飞凌
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15000
英飞凌MOS管、IGBT大量有货
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INFINEON
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RoHS Compliant pbFree
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INFINEON
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RoHS Compliant pbFree
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INFINEON/英飞凌
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TO-247
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INFINEON
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con
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Infineon Technologies
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更多SIGC186T170R3供应商 更新时间2025-10-4 11:02:00