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SIGC186T170R3E中文资料IGBT 裸片数据手册Infineon规格书

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厂商型号

SIGC186T170R3E

功能描述

IGBT 裸片

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-12-16 16:25:00

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SIGC186T170R3E规格书详情

描述 Description

我们的 TRENCHSTOP™ IGBT 结合了独特的沟槽和场截止技术,是行业的标杆

特性 Features

• 低关断损耗
• 短尾电流
• 正温度系数
• 易于并联

技术参数

  • 制造商编号

    :SIGC186T170R3E

  • 生产厂家

    :Infineon

  • VCE(sat)max

    :2.4 V

  • VCEmax

    :1700 V

  • VDSmax

    :1700 V

  • VGE(th)

    :5.2 V to 6.4 V

  • Operating Temperature

    :-55 °C to 150 °C

  • Technology

    :IGBT3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
22+
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