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AOB12T60P	文件：333.05 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor DESCRIPTION ·Drain Current : ID= 10A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 950V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.85Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·motor drive, 文件：333.05 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
AOB12T60P	文件：494.9 Kbytes Page：7 Pages	600V,12A N-Channel MOSFET 文件：494.9 Kbytes 页数：7 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOB12T60PL	文件：494.91 Kbytes Page：7 Pages	RoHS and Halogen Free Compliant 文件：494.91 Kbytes 页数：7 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOB12T60P	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET：N-Channel AOS pioneered the fab-lite model in the Trench Power MOSFET field, developing leading-edge products that are exclusively manufactured in state-of-the-art 8-inch fabs. Advanced proprietary silicon and packaging processes are designed in AOS’s U.S. headquarters and are then produced with its very effi	AOS 美国万代	AOS

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